Научно-техническое предприятие «Вираж-Центр» ООО


«Машиностроитель»
Производственный научно-технический журнал
Издается с 1931 г.

ISSN 0025-4568

Том 84 Выпуск 4 – 2015 г.

Содержание:

УПРАВЛЕНИЕ

Кадаев С.Б. - аспирант
Институт управления и права (г. Москва)
УДК 08.00.05
ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ТРУДА
(Часть 1)
Для предприятия рост производительности труда обеспечивает будущее развитие, а также благоприятные перспективы в дальнейшем. В целом же, рост производительности труда ведет к повышению уровня и качества жизни населения.
Ключевые слова и фразы: производительность труда, труд, безработица, занятость, трудовая миграция.

(с. 2-9)
LABOUR PRODUCTIVITY
For enterprise productivity growth provides future development, as well as favorable prospects in the future. In General, the productivity growth leads to higher levels and quality of life of the population.

Библиографические ссылки
1. Абрамов В.Л. Проблемы повышения конкурентоспособности экономики России в контексте грядущего присоединения к ВТО.// Современная конкуренция. 2008 №3.
2. Гурьянов С.Х., Поляков И. А., Ремизов К.С. Справочник экономиста по труду: - М: 2003, с.397.
3. Жуков Л.И., Погосян Г.Р. Экономика труда // М.: Экономика. – 2005, с.401.
4. Кокин Ю.П. Экономика труда// учебник под ред. Ю.П. Кокина, П.Э. Шлендера 2-е изд. – М: Магистр 2008, с. 686.
5. Корняков В. Производительность труда: практические темпы роста// Экономист 2008 №11.
6. Михеев Д. Эффективность труда – ключевой приоритет //Экономист 2008 №8.
7. Остапенко Ю.М. Экономика труда; учебное пособие// Ю.М. Остапенко 2-е издание, переработано и дополнено –М: ИНФРА – М 2007, с. 567.
8. Погосян Г.Р. Экономика труда//Под ред. Г.Р. Погосяна, Л.И. Жукова - М.: Экономика, 2007, с. 303.
9. Половина Э.А. Экономические факторы роста производительности труда.// Вестник экономики, права и социологии. 2008 №2.
10. Проскуряков В.М., Лупанов К.Ю. Производительность и оплата труда, факторы роста и мера соотношения // М.: Экономика.- 2006, с. 457.
11. Ремизов К.С. Основы экономики труда: М.- 2006, с.549.


Мистров Л.Е.
Центральный филиал ФГБОУ ВПО “Российская академия правосудия” (г. Воронеж)
УДК 621.396
МЕТОД СИНТЕЗА СТРУКТУРЫ СИСТЕМ ИНФОРМАЦИОННОЙ БЕЗОПАСНОСТИ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ КОНФЛИКНОЙ УСТОЙЧИВОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКИХ ОРГАНИЗАЦИЙ
Предлагается в развитие [1, 2] метод синтеза структуры систем информационной безопасности для обеспечения конфликтной устойчивости взаимодействия социально-экономических организаций на основе “накрытия” множества объектов воздействия конкурирующих организаций её элементами (подсистемами, комплексами и средствами). Метод реализован на основе методов теорий принятия решений, нечетких множеств и логико-вероятностных методов исследования надежности структурно-сложных систем
Ключевые слова: социально-экономическая организация, конкуренция, система, комплекс и средство информационной безопасности, метод, состав, структура, критерий, способ, оптимизация, кратчайший путь, функция алгебры логики

(с. 10-17)
Библиографические ссылки
1. Мистров Л.Е. Основы конфликтного устойчивого взаимодействия социально-экономических организаций / Л.Е. Мистров // Машиностроитель. – 2014. – №6. – С. 2 – 9.
2. Мистров Л.Е. Методы и средства информационной безопасности обеспечения конфликтной устойчивости взаимодействия социально-экономических организаций / Л.Е. Мистров // Машиностроитель. – 2014. – №7. – С. 2 – 9.
3. Дабагян А.В. Проектирование технических систем / А.В. Дабагян. – М.: Машиностроение, 1986.
4. Мистров Л.Е. Основы методологии автоматизированного проектирования организационно-технических систем / Л.Е. Мистров // Автоматизация и современные технологии. – 2005. – №6. – С. 3 – 13.
5. Мистров Л.Е. Метод аналитического решения задачи системотехнического синтеза конфликтно-устойчивых обеспечивающих функциональных организационно-технических систем // Машиностроитель. – 2005. – №1. – С. 25 – 33.
6. Рябинин И.А. Логико-вероятностные методы исследования надежности структурно-сложных систем / И.А. Рябинин, Г.Н. Черкасов. – М.: Радио и связь, 1981.
7. Колмогоров А.Н. Элементы теории функций и функционального анализа / А.Н. Колмогоров, С.В. Фомин. – М.: Наука, 1981.
8. Натансон И.П. Теория функций вещественной переменной / И.П. Натансон. – М.: Технико-теоретическая литература, 1957.


ИССЛЕДОВАНИЯ

Корнеев Н.В., д-р техн. наук, профессор кафедры ИиЭС, Смоленская Н.М., аспирант
Поволжский государственный университет сервиса
эл. адрес
УДК 621.43
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМОИОНИЗАЦИИ ОТ МАКСИМАЛЬНОГО ДАВЛЕНИЯ В ПРОЦЕССЕ СГОРАНИЯ ПРИРОДНОГО ГАЗА С ДОБАВКАМИ ВОДОРОДА
Представлены результаты экспериментального исследования зависимости характеристик термоионизации от параметров максимального давления в процессе сгорания сжатого природного газа с добавками водорода в поршневой одноцилиндровой установке УИТ-85. Получены модели, показывающие возможность оценки изменения давления в процессе сгорания по параметрам термоионизации для систем диагностики процесса сгорания по ионизационным зондам.
Ключевые слова: СПГ, термоионизация, давление, взаимосвязь.

(с. 18-23, ил. 8)
Korneev N.V., Dr.Sci.Tech., professor of chair IiEs, Volga region state university of service
Smolenskaya N.M., post-graduate student

MODELING PROCESS THERMOIONIZATION FROM THE MAXIMUM PRESSURE IN THE COMBUSTION PROCESS OF NATURAL GAS CONTAINING HYDROGEN
Presents the results of an experimental study of the characteristics of thermoionization parameters maximum pressure in the combustion of compressed natural gas containing hydrogen in a piston-cylinder installation UIT-85. The resulting model shows the possibility of estimating the change of pressure in the combustion process on the parameters of thermoionization systems for diagnostics of the combustion process in the ionization probes.
Keywords: СNG, thermoionization, pressure, interconnection.

Библиографические ссылки
1. Andersson, I. Cylinder pressure and ionization current modeling for spark ignited engines / I. Andersson: Linkopings Universitet, 2002. С. 93.
2. Eriksson, L. Spark advance modeling and control / PhD, Linkoping Studies in Science and Technology. Dissertations. No. 580. Linkoping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden. 1999. С. 207
3. Franke, A. Characterization of an Electrical Sensor for Combustion Diagnostics // PhD, Doctoral Thesis. Lund Reports on Combustion Physics, LRCP-80. Lund Institute of Technology. Sweden. 2002. С. 147.
4. ГОСТ 11439-2010. Газовые баллоны. Баллоны высокого давления для хранения на транспортном средстве природного газа как топлива. Технические условия.
5. ГОСТ 13985-2013 Жидкий водород. Топливные баки для наземного транспорта.
6. ГОСТ 55466-2013 Топливо водородное. Технические условия на продукт. Часть 2. Применение водорода для топливных элементов с протонообменной мембраной дорожных транспортных средств.
7. ГОСТ 55891-2013 Водород газообразный и водородные смеси. Бортовые системы хранения топлива для транспортных средств.
8. ГОСТ Р ИСО 8178-5-2009. Двигатели внутреннего сгорания поршневые. Измерение выбросов вредных веществ. Часть 5. Топлива для испытаний (утв. Приказом Ростехрегулирования от 19.08.2009 N 301-ст).
9. Корнеев Н.В. Аналитическая и статистическая оптимизация уровня дисбаланса гибких систем турбоагрегатов // Машиностроитель. 2007. № 12. С. 25–28.
10. Корнеев Н.В. Методология прогнозирования дисбаланса деталей и узлов турбоагрегатов // Машиностроитель. 2006. № 7. С. 19–21.
11. Корнеев Н.В. Методы прогнозирования и снижения вибрации гибких систем турбоагрегатов. М.: Спутник+. 2007.
12. Корнеев Н.В., Кустарев Ю.С. Управление дисбалансом высокоскоростных роторных систем. М.: Спутник+. 2006.
13. Корнеев Н.В. Методология прогнозирования начального дисбаланса турбоагрегатов в условиях сборки // Техника машиностроения. 2006. № 3. С. 72–74.
14. Постановление Правительства РФ от 12.10.2005 N 609 (ред. от 30.07.2014) Об утверждении технического регламента «О требованиях к выбросам автомобильной техникой, выпускаемой в обращение на территории Российской Федерации, вредных (загрязняющих) веществ».


Усс А.Ю., Зеленов М.С., Чернышев А.В.
Кафедра «Вакуумная и компрессорная техника» МГТУ им. Н.Э. Баумана, (г. Москва, Россия)
Lamoine G.
Ecole Nationale Superieure des Mines de Saint-Etienne, (г. Сент-Этьен, Франция)
УДК 62-13
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ НАГРУЗОК ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ РОТОРНОЙ МАШИНЫ
Статья содержит постановку и решение задачи роторной динамики на примере лабораторной микроцентрифуги. Целью выполненного исследования являлась оценка прочностных характеристик ротора под действием центробежной силы, дисбаланса ротора и резонансного режима вращения. Рассмотрены причины возникновения привнесенного дисбаланса и проблемы, с ним связанные. Проведено численное моделирование данного явления, и на основании определенных нагрузок проведен расчёт ротора на прочность. Проведён анализ нагрузок, действующих на подшипниковые опоры, при вращении ротора с привнесенным дисбалансом. Проведен анализ частот собственных колебаний ротора и определено положение рабочего режима относительно первой критической частоты.
Ключевые слова: роторные машины, микроцентрифуга, дисбаланс, расчёт на прочность, анализ собственных частот колебаний.

(с. 24-29, ил. 7)
Библиографические ссылки
1. Разработка комплекса оборудования выделения пробы для анализа ДНК методом ПЦР / А.С. Пугачук, Ю.А. Борисов, Ю.С. Кузнецова, А.В. Чернышев // Молодежный научно-технический вестник: электронный научный журнал. – 2012. – №9 [Электронный ресурс]. Режим доступа: sntbul.bmstu.ru/doc/475080.html (дата обращения: 01.03.2014).
2. Xuan Haijun Failure analysis and optimization design of a centrifuge rotor/ Xuan Haijun, Song Jian // Engineering Failure Analysis. – 2007. – № 14. – pp.101–109
3. Каплун, А.Б. ANSYS в руках инженера: Практическое руководство/ А.Б. Каплун, Е.М. Морозов, М.А. Олферьева. – М.: Едиториал УРСС, 2003. – 269 с.
4. Анурьев, А.И. Справочник конструктора-машиностроителя: в 3-х т.: Т.2. – 8-е изд., перераб. и доп. Под ред. И.Н. Жестковой. – М.: Машиностроение, 2001. – 912 с.
5. Numerically computed dynamics rotor using ANSYS software / Trebuna F., Frankovsky P., Gula M. и др. // Modelling of mechanical and mechatronic systems 2011: материалы IV-й междунар. конф. / Технический университет Кошице – Словакия, 2011. – С.498-501.


ЭЛЕКТРОНИКА

С.В. Белов, ст. инженер, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
А.В. Васильев, зам. ген. директора по производству, ООО «Группа компаний «Нитридные кристаллы»
О.В. Венедиктов, инженер-технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор»
В.Н. Вьюгинов, канд. физ.-мат. наук, директор, ЗАО «Светлана -Электронприбор»
А.Г. Гудков, д-р техн. наук, профессор МГТУ им. Н.Э. Баумана
Ю.С. Кузмичёв, начальник лаборатории, ЗАО «Светлана -Электронприбор»
А.А.Лебедев, д. ф.-м.н., профессор, зам. руководителя отделения твердотельной электроники, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
С.П. Лебедев, мл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Д.П. Литвин, науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Ю.Н. Макаров, к. ф.-м. н., ген. директор, ООО «Группа компаний «Нитридные кристаллы»
С.С. Нагалюк, вед. инженер-технолог, ООО «Группа компаний «Нитридные кристаллы»
И.П. Никитина, ст. инженер, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
В.В. Попов, канд. техн. наук, президент, ОАО «Светлана»
А.Н. Смирнов, к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Н.К. Травин, вед. инженер- технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор»
Р.Г. Шифман, зам. директора по науке – начальник ОКБ, ЗАО «Светлана -Электронприбор»

УДК 621.397
ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА
ЧАСТЬ 59. ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИЕ 6H-SIC ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Описаны результаты работ в ОАО «Светлана» по созданию базовой промышленной технологии роста монокристаллического полуизолирующего карбида кремния и изготовления подложек из него. Обсуждены параметры полученных подложек и рассмотрены наиболее перспективные применения.
(с. 30-39, ил. 6)
S.V. Belov, FTI named after A. F. Ioffe
A.V. Vasiliev, Deputy General Director
O.V. Venediktov. Engineer, CJSC «Svetlana-Semiconductors»
V.N. Vyuginov, Ph.D. (Phys.-Math.), Director, CJSC «Svetlana-Semiconductors»A.G. A.G. Gudkov, Grand Ph.D., professor of MSTU n.a. Bauman
Yu.S. Kuzmichev, Head of Laboratory, CJSC «Svetlana-Semiconductors»
A.A. Lebedev, D.Sc (Phys.-Math.), Professor, FTI named after A. F. Ioffe
S.P. Lebedev, Junior Research Scientist, FTI named after A.F. Ioffe
D.P. Litvin, Research Science, FTI named after A.F. Ioffe
Yu.N. Makarov, Ph.D. (Phys.-Math.), General Director
S.S. Nagalyuk, Leading Engineer
I.P. Nikitina, Senior Engineer, FTI named after A.F. Ioffe
V.V. Popov, Ph.D. (Eng.), president, JSC «Svetlana»
A.N. Smirnov, D.Sc. (Phys.-Math.), Senior Research Scientist, FTI named after A.F. Ioffe
N.K. Travin, Leading Engineer, CJSC «Svetlana-Semiconductors»
R.G. Shifman, Deputy Director – Head of SCD, CJSC «Svetlana-Semiconductors»

FORECASTING OF INTEGRAL SCHEMES OF MICROWAVE FREQUENCY QUALITY AND RELIABILITY AT THE DEVELOPMENT AND MANUFACTURE STAGES
PART 59. SEMI-INSULATING 6H-SIC WAFERS FOR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS

In this article, the results of the research on baseline manufacturing technology of semi-insulating SiC bulk crystal growth and wafer production from this material are described. The parameters of the obtained wafers are discussed, and the most advanced applications are considered.

Библиографические ссылки
1. А.Г.Остроумов, А.А.Рогачёв. О.В.Лосев — пионер полупроводниковой электроники. Сб. Научных трудов. Физика: проблемы, история, люди/ Под ред. В.М.Тучкевича. Наука Л. (1986).
2. М.А.Новиков, Олег Владимирович Лосев — пионер полупроводниковой электроники. ФТТ, 46, (2004) 5-9.
3. Аникин М.М., А.Н.Андреев, А.А.Лебедев, С.Н.Пятко, М.Г.Растегаева, Н.С.Савкина, А.М.Стрельчук, А.Л.Сыркин, В.Е.Челноков, Высокотемпературный диод Шоттки, ФТП 25, (1991) 328.
4. М.М.Аникин, П.А.Иванов,А.Л.Сыркин,Б.В.Царенков, В.Е.Челноков SiC 6H — полевой транзистор с рекордной для карбидкремневых транзисторов крутизной, Письма в ЖТФ, 15 (1989) 36.
5. А.А.Лебедев, М.М.Аникин, М.Г.Растегаева, Н.С.Савкина, А.Л.Сыркин, В.Е.Челноков, Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки, ФТП, 29 (1995) 1231-1236.
6. M.M.Anikin, A.N.Andreev, S.N.Pyatko, N.S.Savkina, A.M.Strelchuk, A.L.Syrkin and V.E.Chelnokov, UV photodetectors in 6H-SiC, Sensotrs and Actuators A, 33 (1992) 91-93.,
7. A.V.Bludov, M.S.Boltovets, K.V.Vasilevski, A.V.Zorenko, K.Zakentes, A.A.Lebedev, V.A.Krivitsa. Simulation and prototype fabrication of microwave modulators with 4H-SiC p-I-n diode. Material science Forum V 457-460 (2004) 1089-1092.
8. K.V.Vasilevski, A.V.Zorenko, K.Zekentes,Experimentsl observation of microwave oscillations produced by pulsed silicon carbide IMPATT diodes, Electron.letters 37 (7), (2001) 466-467.
9. Лебедев А.А., Белов С.В., Лебедев С.П., Литвин Д.П., Никитина И.П.,Васильев А.В., Макаров Ю.Н., Нагалюк С.С., Стрельчук А.М., Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Шифман Р.Г., Кузмичёв Ю.С., Травин Н.К., Венедиктов О.В. Начало промышленного выпуска SiC подложек и приборов на их основе // Труды 1-й российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвящённой 110-ю со дня рождения О. В. Лосева / Под ред. А. Э. Рассадина. --- Н. Новгород.: НИЖЕГОРОДСКАЯ РАДИОЛАБОРАТОРИЯ. 2013. В 2-х т. Т. 1. С. 23-24.
10. Yu.M.Tairov, and V.F.Tsvetkov, Investigation of Growth proceses of ingots of silicon carbide single crystals, J.Crystal Growth 43 (1978) 209-212.
11. Yu.A.Vodakov and E.N.Mokhov Patent USSR No 403275 (1970), Patent GB No 1458445 (21/02/74), Patent USA (1970) No. 4147575 (03/04/79).
12. E.N.Mokhov, I.L.Shulpina, A.S.Tregubova, and Yu.A.Vodakov, Cryst. Res. Technol. 16 (1981) 879
13. S.Yu.Karpov, Yu.N.Makarov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, M.S.Ramm, A.D.Roenkov, R.A.Talalaev, Yu.A.Vodakov, Analysis of silicon carbide growth by sublimation sandwich method, J. of Crystal Growth 173 (1997) 408-416.
14. С.М.Зи Физика полупроводниковых приборов, Москва, «Энергия», 1973
15. .E.Levinshtein, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur 2001 Properties of Advanced Semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (New York: Wiley)
16. J.H.Yim et al, 4H-SiC Planar MESFETs on High-Purity Semi-insulating Substrates, Materials Science Forum V 556-557 (2007) pp 763-766
17. S.Katakami, M.Ogata, S. Ono and M.Arai, Improvement of Electrical Characteristics of Ion Implanted 4H-SiC MESFET on a Semi-insulating Substrate, Materials Science Forum V 556-557 (2007) pp 803-806/
18. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov, Electric field effect in atomically thin carbon films, Science 306, 666 (2004).
19. M.C. Lemme, Current status of graphene transistors, Solid State Phenomena 156, 499 (2009).
20. F. Schwierz, Graphene transistors, Nature Nanotech. 5, 487 (2010)
21. Y. Wu, Y. Lin, K. Jenkins et al, RF performance of short channel graphene field-effect transistor, Tech. Dig. of Int. Electron Device Meeting (IEDM), 226 (2010).
22. A.Tzalenchuk, S.lara-Avila, A.Kalaboukhov, S.Paolillo, M.Syvajarvi, R.Yakimova, O.Kazakova, T.J.B.M. Janssen, V.Fal’ko and S.Kubatkin, Nature Nanotechnology 5, 186-189 (2010).
23. А.А.Лебедев, В.Е. Челноков Широкозонные полупроводники для силовой электроники, ФТП, т33,№9,(1999), стр1096-1099
24. L.Young, et.al. Field plate engineering for GaN-based Schottky barrier diodes, J. of Semiconductors, V 34 No 5 (2013) 054007
25. J.R .LaRoche, B.Luo, F. Ren, K.H. Baik, D.Stodilka, B Gila, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, A. Usikov, D. Tsvetkov, V.Soukhoveev, G. Gainer, A.Pechnikov, V. Dmitriev, G.-T. Chen, C.-C. Pan, J.-I. Chyi. GaN/AlGaN HEMTs grown by hydride vapor phase epitaxy on AlN/SiC substrates.: Solid-State Electronics 48, pp. 193-196 (2004).
26. Гудков А.Г. Мешков С.А., Хныкина С.В. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 12. Контроль качества МИС СВЧ на основе РТД. Машиностроитель.- 2010.- №4. - С. 31-40.
27. Гудков А.Г. Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 14. Вероятностные математические модели ГИС СВЧ. Машиностроитель.- 2010.- №8. - С. 34-56.
28. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Попов В.В., Мешков С.А. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 18. Гетероструктурная СВЧ-электроника России: день сегодняшний. Машиностроитель.- 2011.- №7. - С. 31-36.
29. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А, Попов В.В., Савин А.М. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 19. Элементы МИС СВЧ. Машиностроитель.- 2011.- №8. - С. 54-58.
30. Бирюлева Е.Г., Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Зыбин А.А., Попов В.В. Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 20. Широкополосное защитное устройство в монолитном интегральном исполнении. Машиностроитель.- 2011.- №9. - С. 51-54.
31. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А, Попов В.В., Савин А.М. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 21. Оптимальное проектирование дискретного фазовращателя в МИС исполнении. Машиностроитель.- 2011.- №10. - С.30-34.
32. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А, Попов В.В., Савин А.М. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 22. Обеспечение надёжности и качества конструкции дискретного фазовращателя. Машиностроитель.- 2011.- №11. - С.38-45.
33. Гудков А.Г., Кирилов А.В., Романов Л.Г., Смирнов В.А., Попов В.В. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 23. Устройства защиты приёмного СВЧ тракта. Машиностроитель.- 2011.- №12. - С.40-51.
34. Гудков А.Г., Кирилов А.В., Попов В.В., Романов Л.Г., Смирнов В.А. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 24. Защитные устройства СВЧ миллиметрового диапазона частот. Машиностроитель.- 2012.- №1. - С.6-14.
35. Гудков А.Г., Кирилов А.В., Попов В.В., Романов Л.Г., Смирнов В.А. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 25. Широкополосные защитные устройства СВЧ. Машиностроитель.- 2012.- №2. - С.31-37.
36. Волков В.В., Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Зыбин А.А., Петров П.А., Попов В.В., Савин А.М. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 26. МИС широкополосного аттенюатора СВЧ. Машиностроитель.- 2012.- №3. - С. 34-35.
37. Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Королев А.В., Костюнчик Д.А., Поправко М.Н., Зенин П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 27. Радиочастотный тракт приёмопередающего модуля системы радиочастотной индентификации. Машиностроитель.- 2012.- №5. - С. 25-31.
38. Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Королев А.В., Тикменова И.В., Рыков С.Г. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 28. Анализ возможности применения отечественной компонентной базы в системах радиочастотной идентификации. Машиностроитель.- 2012.- №6. - С. 10-14.
39. Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть. 29. Основные тенденции развития малошумящих усилителей СВЧ. Машиностроитель.- 2012.- №7. - С. 13-17.
40. Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки производства. Часть 30. Элементная база транзисторных МШУ в МИС. Машиностроитель.- 2012.- №8. - С. 15-18.
41. Ветрова Н.А., Гудков А.Г., Назаров В.В., Шашурин В.Д. Проблемы обеспечения надёжности смесителей СВЧ. Машиностроитель.- 2012.- №8. - С. 19-26.
42. Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки производства. Часть 31. Элементная база транзисторных МШУ в МИС. Машиностроитель.- 2012.- №9. - С. 49-53.
43. Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Королев А.В., Костюнчик Д.А., Поправко М.Н. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 31. Радиочастотный тракт приёмопередающего модуля системы радиочастотной индентификации. Машиностроитель.- 2012.- №10. - С. 27-33.
44. Гудков А.Г. , Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 32. Схемотехнические варианты построения транзисторных МШУ. Машиностроитель.- 2012.- №11. - С. 20-26.
45. Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 33. Конструктивные технологические варианты построения МШУ. Машиностроитель.- 2012.- №12. - С. 25-32.
46. Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Попов В.В., Порохов И.О. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 34. Направленные антенны в корпусах из радиопрозрачных материалов. Машиностроитель.- 2013.- №1. - С. 2-5.
47. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Попов В.В. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 36. Многокаскадный усилитель мощности. Машиностроитель.- 2013.- №3. - С. 40-47.
48. Гудков А.Г., Григорьев С.Н. Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 38. Зона теплоотвода и температурное распределение плёночного резистора. Машиностроитель.- 2013.- №5. - С. 32-40.
49. Агасиева С.В., Гудков А.Г., Назаров В.В., Скороходов Е.А., Шашурин В.Д. Методология обеспечения качества на основе ускоренных испытаний для гетероструктурных приборов. Машиностроитель.- 2013.- №8. - С. 40-43.
50. Гудков А.Г., Королев А.В., Костюнчик Д.А. Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 43. О выборе структуры транзисторных усилительных трактов. Машиностроитель.- 2013.- №10. - С. 19-24.
51. Гудков А.Г., Григорьев С.Н., Назаров В.В., Скороходов Е.А., Шашурин В.Д. К вопросу обеспечения качества конструкции СВЧ-аттенюатора. Машиностроитель.- 2013.- №12. - С. 24-36.
52. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Грозина М.И., Добров В.А., Зыбин А.А., Иванова В.П., Попов В.В. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 45. Широкополосный монолитный GaAs переключатель SP4T в корпусе для поверхностного монтажа. Машиностроитель.- 2013.- №12. - С. 40-42.
53. Гудков А.Г., Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Волков В.В., Зыбин А.А. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства Часть 46.Транзисторы GaN с длиной затвора 0,5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм. Машиностроитель.- 2014.- №1. - С. 42-44.
54. Вьюгинов В.Н., Грозина М.И., Гудков А.Г., Добров В.А., Зыбин А.А., Иванова В.П., Попов В.В. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 47. Сверхширокополосный монолитный GaAs выключатель. Машиностроитель.- 2014.- №2. - С. 49-50.
55. Вьюгинов В.Н., Волков В.В., Гудков А.Г., Зыбин А.А., Попов В.В., Шаганов П.А. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 48. МИС фазовращателя на p-i-n диодах в корпусах для поверхностного монтажа. Машиностроитель.- 2014.- №3. - С. 28-30.
56. Вартанов О.С. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Евлампиев И.К., Попов В.В. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 49. 6-разрядные КМОП драйверы с параллельным и последовательным интерфейсом для управления GaAs транзисторами. Машиностроитель.- 2014.- №4. - С. 25-27.
57. Иванов Ю.А., Агасиева С.В., Гудков А.Г., Мешков С.А., Синякин В.Ю., Шашурин В.Д. Применение технологии радиочастотной идентификации с пассивными метками в инвазивной биосенсорике. Машиностроитель.- 2014.- №5. - С. 12-20.
58. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Королев А.В., Леушин В.Ю., Плющев В.А., Попов В.В., Сидоров И.А. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 51. Унифицированный электронный модуль многоканального СВЧ тракта для систем радиотермокартирования. Машиностроитель.- 2014.- №6. - С. 38-46.


ОБРАБОТКА

Скрябин В.А., д-р техн. наук, профессор
Пензенский государственный университет
УДК 621.923.01.
ОСОБЕННОСТИ ФИНИШНОЙ ОБРАБОТКИ ДЕТАЛЕЙ СО СЛОЖНЫМ ПРОФИЛЕМ
В статье приведены особенности обработки поверхностей деталей со сложным профилем незакреплённым шлифовальным материалом. Представлены схемные решения методов обработки и результаты практической реализации финишной обработки с целью достижения заданной величины шероховатости обрабатываемых поверхностей.
Ключевые слова: Детали со сложным профилем, незакреплённый шлифовальный материал, методы обработки, шероховатость поверхностей деталей.

(с. 40-49, ил. 4)
Doctor of Technical Sciences, professor V.А. Skryabin
Penza state university

FEATURES OF FINISH TREATMENT OF DETAILS WITH DIFFICULT PROFILE
To the article the features of treatment of surfaces of details are driven with a difficult profile by unsupported polishing material. The schematics of methods of treatment and results of realization of finish treatment are worked out with the purpose of achievement of the set size of roughness of the processed surfaces.
Keywords: Of Detail with a difficult profile, unsupported polishing material, methods of treatment, roughness of surfaces of details.

Библиографические ссылки
1. А.с. 1579740 СССР, МКИ В24В 31/08. Способ абразивной обработки деталей / А.Н. Мартынов, В.А. Скрябин, В.М. Федосеев. – Опубл. 23.07.90, Бюл. № 27.
2. А.с. 1678581 СССР, МКИ В24В 31/116. Способ абразивной обработки изделий / А.Н. Мартынов, В.А. Скрябин, В.А. Лемин, В.М. Федосеев, Г.В. Бабаджан. – Опубл. 23.09.91, Бюл. № 35.
3. Патент 1803308 (РФ), МКИ: В24В 31/104. Способ обработки деталей / В.А. Скрябин. // Опубл. 23.03.93, Бюл. №11.
4. Скрябин В.А. Основы процесса субмикрорезания при обработке деталей незакрепленным абразивом. Монография – Пенза: Изд-во ПВАИУ, 1992. – 120 с.
5. Скрябин В.А. Новый метод финишной обработки деталей свободными мелкодисперсными средами / В.А. Скрябин, Ю.В. Рыбаков // Машиностроитель. – М.: Изд-во «Вираж-центр», 2000. № 2. – С. 16 – 17.
6. Скрябин В.А. Камерный способ обработки сложнопрофильных деталей уплотненным мелкодисперсным абразивом / В.А Скрябин, А.Г. Схиртладзе, Ю.В. Рыбаков// Технология металлов. – М.: Изд-во «Наука и технологии», 2003. № 1. – С. 19 – 24.
7. Мартынов А.Н. Основы метода обработки деталей свободным абразивом, уплотненным инерционными силами. – Саратов: Изд-во: Сарат. Гос. техн. ун-та, 1981. – 212 с.
8. Корнараки В.В. Зависимость коэффициента трения и угла естественного откоса некоторых шлифовальных материалов от влажности / В.В. Корнараки, Р.А. Доманский // Абразивы: Экспресс-информация. – М.: НИИАШ, 1981. – № 9. – С. 16-19.


ТЕХНОЛОГИИ

И. Декер (I. Decker), доктор физических наук, Советник по технологиям компании
KNUTH Werkzeugmaschinen GmbH, город Васбек,
УДК 67.02
СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В СФЕРЕ ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ГИДРОАБРАЗИВНОЙ РЕЗКИ
(на примере оборудования для гидроабразивной резки с оптимальным качеством реза в 2D и 3D от компании KNUTH, Германия)

В статье рассматриваются современные технологии, использующиеся при создании оборудования для гидроабразивной резки, а также их роль в процессе повышения эффективности производства. В качестве примера анализируются технологические особенности оборудования для гидроабразивной резки серий Hydro-Jet и Premium-Water-Jet от немецкого производителя KNUTH Werkzeugmaschinen GmbH.
Ключевые слова: гидроабразивная резка, технология, разделение материала, оборудование для гидроабразивной резки, повышение эффективности производства.

(с. 50-55, ил. 6)
I. Decker, Doctor of Physical Science
Technology Advisor at the Company KNUTH Werkzeugmaschinen GmbH, Germany.

HIGH-END-TECHNOLOGIES IN WATER JET CUTTING (EVIDENCE FROM THE WATER JET CUTTING EQUIPMENT OF THE COMPANY KNUTH WERKZEUGMASCHINEN GMBH).
In der article are being examined modern technologies in the water jet cutting equipment as well as their meaning for the boosting of industrial efficiency. The analysis is made at the example of the water jet cutting equipment of the company KNUTH Werkzeugmaschinen GmbH, Germany.
Keywords: water jet cutting, technology, cutting of the material, water jet cutting equipment, boosting of industrial efficiency.


ВЕХИ ИСТОРИИ

Карпенков С.Х., д-р техн. наук, проф.
РАЗВИТИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О СТРУКТУРЕ АТОМОВ
(с. 56-57)
Библиографические ссылки
1. Карпенков С.Х. Концепции современного естествознания. 12-е изд. М.: Директ-Медиа, 2014.
2. Карпенков С.Х. Экология. Учебник для вузов. М.: Директ-Медиа, 2015.
3. Карпенков С.Х. Экология. Практикум. М.: Директ-Медиа, 2014.
4. Карпенков С.Х. Экология. Учебник для бакалавров. М.: Директ-Медиа, 2014.
5. Карпенков С.Х. Современные средства информационных технологий. 2-е изд. М. : Кнорус, 2009.
6. Карпенков С.Х. Концепции современного естествознания. Практикум. 5-е изд. М.: Высшая школа, 2009.
7. Карпенков С.Х. Концепции современного естествознания. Справочник. М.: Высшая школа, 2004.
8. Карпенков С.Х. Основные концепции естествознания. 4-е изд. М.: Высшее образование, 2007.


ИНФОРМАЦИЯ

Пресс-служба RIDGID
Трассопоиск в российских реалиях
(с. 58-60)

Пресс-служба компании «Данфосс»
Что мешает энергосбережению
(с. 61-63)


© НТП «Вираж-Центр» ООО. «Машиностроитель» 2015.